三靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的高性價比磁控濺鍍設備，具有標準化、模塊化、定制化的特點。該設備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介電薄膜、光學薄膜、氧化膜、硬薄膜、聚四氟乙烯薄膜等，三種靶材可以滿足多層或多層涂層的需要。與同類設備相比，三靶磁控濺射鍍膜儀不僅應用廣泛，而且具有體積小、操作方便等優(yōu)點。它是實驗室制備材料薄膜的理想設備。

技術參數(shù)：

三靶磁控濺射鍍膜機（直流電源+射頻電源）
樣品臺	濺射模式	濺射方向向上，樣品臺位于濺射靶上方； 中心頂部設置樣品架，帶一個擋板；
	樣品臺	φ150mm
	控制精度	±1℃
	加熱范圍	室溫～500℃
	可調(diào)轉(zhuǎn)速	1-20rpm可調(diào)
	靶基距離可調(diào)	靶材和襯底之間的距離可以電動調(diào)節(jié)
磁控靶槍	靶面	圓形平面靶
	濺射真空	10Pa～0.2Pa
	靶材直徑	50～50.8mm
	靶材厚度	2～5mm 注：如果靶是磁性材料（如Fe、Co、Ni），厚度不能超過1.5mm，需要強磁濺射靶槍，需要額外采購。
	絕緣電壓	>2000V
	數(shù)量	2 英寸*3；每個濺射靶槍上都有擋板
	電纜規(guī)格	SL-16
	靶頭溫度	≤65℃
真空腔體	內(nèi)壁處理	電解拋光
	腔體尺寸	φ300mm × 350mm
	腔體材料	304 不銹鋼
	觀察窗口	石英窗，直徑φ100mm，帶擋板
	密封方法	氟橡膠密封
	打開方式	頂部開口，氣缸輔助支架
氣體控制系統(tǒng)	流量控制	三通道質(zhì)量流量計：   氧氣：范圍0～100SCCM 氬氣：范圍0～200SCCM 氮氣：范圍0～500SCCM （注意：為了實現(xiàn)更高的無氧環(huán)境，必須用高純度惰性氣體清潔真空室至少3次。）
	氣體類型	氬氣、氮氣、氧氣和其他惰性氣體
	控制閥類型	電磁閥
	控制閥靜態(tài)	常閉
	測量線性度	±1.5% F.S
	測量重復性	±0.2% F.S
	測量響應時間	≤8 seconds（T95）
	工作壓力范圍	0.3MPa
	閥體壓力	3MPa
	工作溫度	（5～45）℃
	閥體材料	不銹鋼 316L
	閥體泄漏率	1×10-8Pa.m3/s
	管道接頭	1/4″壓縮接頭
	輸入和輸出信號	0～5V
	電源	±15V（±5%）（＋15V  50mA,  －15V 200mA）
	外形尺寸(mm)	130 (寬) × 102 (高) × 28 (厚)
	通信接口Interface	RS485 MODBUS 協(xié)議
直流電源	電源	500W
	輸出電壓	0～600V
	*大輸出電流	1A
	正時長度	65000 S
	開始時間	1～10 S
	數(shù)量	2臺
射頻電源	電源	500W
	功率輸出范圍	0W-500W, 帶自動匹配
	*大反射功率	100W
	RF頻率	13.56MHz+/-0.005% 穩(wěn)定性
	電源穩(wěn)定性	≤5W
	諧波分量	小于 -50dbc