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CVD氣相沉積的介紹
日期：2025-05-10 13:34
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摘要：
然而，實際上， 反應室中的反應是很復雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數(shù)的變化范圍是很寬的：反應室內的壓力、晶片的溫度、氣體的流動速率、氣體通過晶片的路程、氣體的化學成份、一種氣體相對于另一種氣體的比率、反應的中間產品起的作用、以及是否需要其它反應室外的外部能量來源加速或誘發(fā)想得到的反應等。額外能量來源諸如等離子體能量，當然會產生一整套新變數(shù)，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。
然后，考慮沉積薄膜中的變數(shù)：如在整個晶片內厚度的均勻性和在圖形上的覆蓋特性(后者指跨圖形臺階的覆蓋)，薄膜的化學配比(化學成份和分布狀態(tài))，結晶晶向和缺陷密度等。當然，沉積速率也是一個重要的因素，因為它決定著反應室的產出量，高的沉積速率常常要和薄膜的高質量折中考慮。反應生成的膜不僅會沉積在晶片上，也會沉積在反應室的其他部件上，對反應室進行清洗的次數(shù)和徹底程度也是很重要的。
化學家和物理學家花了很多時間來考慮怎樣才能得到高質量的沉積薄膜。他們已得到的結論認為：在晶片表面的化學反應首先應是形成“成核點”，然后從這些“成核點”處生長得到薄膜，這樣淀積出來的薄膜質量較好。另一種結論認為，在反應室內的某處形成反應的中間產物，這一中間產物滴落在晶片上后再從這一中間產物上淀積成薄膜，這種薄膜常常是一種劣質薄膜。
化學CVD氣相沉積法是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術，其原理是利用氣態(tài)的先驅反應物，通過原子、分子間化學反應，使得氣態(tài)前驅體中的某些成分分解，而在基體上形成薄膜?；瘜WCVD氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、等離子體輔助化學沉積、激光輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。