0371-5536 5392 0371-5519 9322
CVD培育鉆石是一種由直徑10到30納米鉆石晶體合成的多結晶鉆石，它的化學成分為碳，運用先進的設備模擬大自然中鉆石生長環(huán)境，通過化學氣象沉積技術（CVD）栽種而成.
MPCVD單晶金剛石沉積設備
適合的應用:化學氣相沉積法制備高品質單晶金剛石
化學氣相沉積法制備高品質多晶金剛石自支撐厚膜
化學氣相沉積法制備高品質多晶金剛石薄膜
化學氣相沉積法制備石墨烯、碳納米管、富勒烯和金剛石膜等各種碳納米薄膜
產(chǎn)品特點：
本產(chǎn)品為不銹鋼腔體式6kw微波等離子體設備，功率密度高；
水冷式基片臺和水冷式金屬反映腔，保證系統(tǒng)能長時間穩(wěn)定工作；
基片溫度以微波等離子體自加熱方式達到；
真空測量儀表采用全量程真空計，可**測量本底真空和工作氣體壓強；
真空泵及閥門采用渦輪分子泵(極限真空為1×10-5Pa)和旋片式機械真空泵(極限真空為1Pa)，系統(tǒng)可自動控制沉積氣壓；
配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，確保裝置高功率下可長時間**穩(wěn)定運行；
系統(tǒng)帶15寸觸摸屏，PLC自動控制，可設置溫度或氣壓恒定，可保存復用多達20套工藝文件；
全自動工藝控制模塊，可以穩(wěn)定可靠地制備高品質金剛石薄膜和晶體
技術指標與特性
|
微波系統(tǒng)（法國Sairem 微波源） |
微波頻率 |
2450±25MHz |
|
輸出功率 |
0.6kw~6kw 連續(xù)可調 |
|
|
微波調諧 |
三銷釘調配器，模式轉換天線 |
|
|
微波反射保護 |
環(huán)形器，水負載 |
|
|
微波工作模式 |
TM013 |
|
|
微波泄漏 |
≤ 2 mw/cm2 |
|
|
真空系統(tǒng) |
工作氣壓范圍 |
10~250Torr |
|
自動穩(wěn)壓范圍 |
40~250Torr |
|
|
真空泵 |
4.4L/s 旋片式真空泵 |
|
|
系統(tǒng)漏率 |
<1.0x10-9 Pa?m3 /秒 (通過氦質譜檢漏儀檢測) |
|
|
腔體保壓能力 |
每24 小時壓升小于0.2 乇 |
|
|
本底極限真空 |
0.1Pa（7.5 x10-4 Torr) |
|
|
真空測量 |
品牌薄膜規(guī) |
|
|
真空反應腔 |
反應腔材料及結構 |
雙層水冷不銹鋼反應腔 |
|
真空密封 |
金屬密封+氟膠圈密封(取樣門) |
|
|
反應腔內徑 |
直徑140mm |
|
|
樣品臺窗口 |
105x50mm 長方形端口，帶O 形氟橡膠圈密封的前門 |
|
|
觀察窗口 |
兩個端口，CF35 大口徑，180°分布 |
|
|
測溫窗口 |
兩個窗口水平角度25~30°，180°分布；窗口方便從反應腔上部的 斜角向下檢測樣品臺的溫度 |
|
|
樣品臺 |
電動升降式水冷基片臺 直徑100mm，高度可調范圍0～70mm |
|
|
鉬基片臺直徑≥50mm，在5000w, 180Torr 工作狀態(tài)，等離子體火球可覆蓋 整個基片臺 |
||
|
基片臺溫度 250～1400℃（取決于工藝參數(shù)） |
||
|
氣路 |
選用日本進口流量計及流量控制閥 |
|
|
系統(tǒng)自帶四路MFC |
||
|
四路MFC *大流速：H2: 1000sccm，CH4：100sccm，O2：20sccm，N2：2sccm |
||
|
測溫系統(tǒng) |
德國Raytek 紅外測溫系統(tǒng)，測溫范圍：300~1300 攝氏度 |
|
|
系統(tǒng)軟件 |
配置PLC 控制的15“觸摸顯示屏，用戶操作界面友好，所有操作均可在觸摸 屏上完成 |
|
|
系統(tǒng)支持工程師和操作員兩個用戶級別，提供用戶權限管理功能 |
||
|
系統(tǒng)自帶缺水，缺氣，電源缺相，火球跳變，過溫過載，打火等自動保護 |
||
|
可設置多達10 套工藝配方，每套配方有40 行數(shù)據(jù)，生產(chǎn)流程通過工藝配方自 動控制，工藝數(shù)據(jù)可通過U 盤備份導出 |
||
|
系統(tǒng)自帶全自動抽氣，點火，升溫，降溫等預設流程，用戶操作簡便 |
||
|
全自動溫度控制，氣壓控制，極大減輕系統(tǒng)操作員的工作量 |
||
